STP8N50XI - описание и поиск аналогов

 

STP8N50XI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP8N50XI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT221

Аналог (замена) для STP8N50XI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8N50XI даташит

 ..1. Size:307K  st
stp8n50xi.pdfpdf_icon

STP8N50XI

 9.1. Size:698K  st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdfpdf_icon

STP8N50XI

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

 9.2. Size:326K  st
stp8nc60.pdfpdf_icon

STP8N50XI

STP8NC60 STP8NC60FP N-CHANNEL 600V - 0.85 - 7A TO-220/TO-220FP PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP8NC60 600 V

 9.3. Size:554K  st
stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdfpdf_icon

STP8N50XI

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

Другие MOSFET... STP6NA80 , STP6NA80FI , STP7N20 , STP7N20FI , STP7NA40 , STP7NA40FI , STP7NA60 , STP7NA60FI , 10N65 , STP8NA50 , STP8NA50FI , STP9N30 , STP9NA50 , STP9NA50FI , STV10NA40 , STV12N20 , STV18N20 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.