Справочник MOSFET. PDB3010H

 

PDB3010H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PDB3010H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для PDB3010H

 

 

PDB3010H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  potens
 pdb3010h.pdf

PDB3010H PDB3010H

30V N-Channel MOSFETs PDB3010H General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This Q1 30V 10.5m 19.5A advanced technology has been especially tailored to Q2 30V 10.5m 19.5A minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the Fea

 9.1. Size:228K  fairchild semi
 fpdb30ph60.pdf

PDB3010H PDB3010H

January, 2006FPDB30PH60Smart Power Module for Front-End RectifierGeneral Description FeaturesFPDB30PH60 is an advanced smart power module of Low thermal resistance due to Al2O3-DBC substratePFC(Power Factor Correction) that Fairchild has newly 600V-30A 2-phase IGBT PWM semi-converter includingdeveloped and designed mainly targeting mid-powera drive IC for gate driving and

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top