PDB3010H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDB3010H  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDB3010H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDB3010H даташит

 ..1. Size:585K  potens
 pdb3010h.pdf pdf_icon

PDB3010H

30V N-Channel MOSFETs PDB3010H General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This Q1 30V 10.5m 19.5A advanced technology has been especially tailored to Q2 30V 10.5m 19.5A minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the Fea

 9.1. Size:228K  fairchild semi
 fpdb30ph60.pdf pdf_icon

PDB3010H

January, 2006 FPDB30PH60 Smart Power Module for Front-End Rectifier General Description Features FPDB30PH60 is an advanced smart power module of Low thermal resistance due to Al2O3-DBC substrate PFC(Power Factor Correction) that Fairchild has newly 600V-30A 2-phase IGBT PWM semi-converter including developed and designed mainly targeting mid-power a drive IC for gate driving and

Другие IGBT... PTN3006, PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06, PTY12HN06, PTP4N60, PTF4N60, PDB1216E, 5N65, PDC2306Z, PDC2603Z, PDC2604Z, PDC3801R, PDC3803R, PDC3810V, PDC3902X, PDC3903X