Справочник MOSFET. PDB3010H

 

PDB3010H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDB3010H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для PDB3010H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDB3010H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  potens
 pdb3010h.pdf pdf_icon

PDB3010H

30V N-Channel MOSFETs PDB3010H General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This Q1 30V 10.5m 19.5A advanced technology has been especially tailored to Q2 30V 10.5m 19.5A minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the Fea

 9.1. Size:228K  fairchild semi
 fpdb30ph60.pdf pdf_icon

PDB3010H

January, 2006FPDB30PH60Smart Power Module for Front-End RectifierGeneral Description FeaturesFPDB30PH60 is an advanced smart power module of Low thermal resistance due to Al2O3-DBC substratePFC(Power Factor Correction) that Fairchild has newly 600V-30A 2-phase IGBT PWM semi-converter includingdeveloped and designed mainly targeting mid-powera drive IC for gate driving and

Другие MOSFET... PTN3006 , PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , 4435 , PDC2306Z , PDC2603Z , PDC2604Z , PDC3801R , PDC3803R , PDC3810V , PDC3902X , PDC3903X .

History: S85N042RP | BSC014N04LSI | 2SJ176 | EFC4626R | DK64N90F | CHM3413KGP

 

 
Back to Top

 


 
.