Справочник MOSFET. SSU80R850S

 

SSU80R850S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSU80R850S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.93 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SSU80R850S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU80R850S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1290K  cn super semi
 ssf80r850s ssp80r850s sst80r850s ssu80r850s.pdf pdf_icon

SSU80R850S

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor800V Super Junction Power MOSFETSS*80R850SRev. 2.1Jun. 2022www.supersemi.com.cnSeptember, 2013SJ-FETSSF80R850S/SSP80R850S/SST80R850S/SSU80R850S 800V N-Channel MOSFETDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utiliz

 8.1. Size:1352K  cn super semi
 ssf80r1k3s ssp80r1k3s sst80r1k3s ssu80r1k3s.pdf pdf_icon

SSU80R850S

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor800V Super Junction Power MOSFETSS*80R1K3SRev. 2.1Jun. 2022www.supersemi.com.cnSeptember, 2013SJ-FETSSF80R1K3S/SSP80R1K3S/SST80R1K3S/SSU80R1K3S800V N-Channel MOSFETDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizi

Другие MOSFET... SSA80R380S , SSF80R500S , SSP80R500S , SSB80R500S , SST80R500S , SSF80R850S , SSP80R850S , SST80R850S , IRFB4227 , SSP1991 , SSP70R450S2 , SST70R450S2 , SST60R280S2 , SST65R280S2 , SSW20N60S , SSA20N60S , SSW47N60S .

 

 
Back to Top

 


 
.