TSM150P04LCS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSM150P04LCS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 12.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 48 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 269 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для TSM150P04LCS
TSM150P04LCS Datasheet (PDF)
tsm150p04lcs.pdf
TSM150P04LCS Taiwan Semiconductor P-Channel Power MOSFET -40V, -22A, 15m FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low RDS(ON) to minimize conductive losses PARAMETER VALUE UNIT Logic level VDS -40 V Low gate charge for fast power switching RDS(on) VGS = -10V 15 100% UIS and Rg tested m Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and in (max) VGS = -4.5V
tsm15n50ci.pdf
TSM15N50 500V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 500 0.44 @ VGS =10V 14 General Description The TSM15N50 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, pro
tsm15n03pq33.pdf
TSM15N03PQ33 30V N-Channel Power MOSFET PDFN33 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 8. Drain VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 7. Drain 12 @ VGS =10V 7.8 3. Source 6. Drain 30 4. Gate 5. Drain 17 @ VGS =4.5V 7 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low On-Resistance Low gate charge typical @ 3.6nC (Typ.) Low Crss typical @
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
