Справочник MOSFET. WTM2306

 

WTM2306 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WTM2306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WTM2306

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTM2306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:782K  wpmtek
 wtm2306.pdf pdf_icon

WTM2306

WTM2306N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription The WTM2306 uses advanced trench technology to provideexcellent R , This device is suitable for use as aDS(ON)battery protection or in other switching application.Features V DS = 30V, lD = 3.6AR

 8.1. Size:762K  wpmtek
 wtm2302.pdf pdf_icon

WTM2306

WTM2302N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription The WTM2302 uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge and operation with gateDS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as abattery protection or in other switching application.Features V DS = 20V, lD = 2.6AR

 8.2. Size:730K  wpmtek
 wtm2300.pdf pdf_icon

WTM2306

WTM2300N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription The WTM2300 uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge and operation with gateDS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as abattery protection or in other switching application.Features V DS = 20V, lD = 6AR

 8.3. Size:718K  wpmtek
 wtm2301.pdf pdf_icon

WTM2306

WTM2301P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The WTM2301 uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge and operation with gateDS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as abattery protection or in other switching application.Features V DS = -20V, lD = -3AR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WFF5N65L , WFF8N65L , WFJ5N65B , WFU2N65L , WTM2300 , WTM2301 , WTM2302 , WTM2305 , IRF9540 , WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B .

History: EMB17A03G | SST80R850S2 | FQD50N06 | STU2N95K5 | 2SK2077 | HSP6024A | IXFB30N120P

 

 
Back to Top

 


 
.