Справочник MOSFET. 2310

 

2310 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2310
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для 2310

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  cn zre
2310.pdfpdf_icon

2310

2310 MOSFET(N-Channel)SOT-23 V(BR)DSS RDS(ON)MAX ID105m@10VSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET60V 3A125m@4.5V FeaturesSOT-23 TrenchFET Power MOSFET Load Switch for Portable Devices. DC/DC Converter. Mechanical Data : SOT-23 SOT-23 Small Outline Plastic Package. UL Epoxy

 0.1. Size:239K  1
st2310hi.pdfpdf_icon

2310

ST2310HIHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1500 V) HIGH SWITCHING SPEED TIGTHER hfe CONTROL IMPROVED RUGGEDNESS3APPLICATIONS: 2 HORIZONTAL DEFLECTION FOR1MONITORS 15" AND HIGH END TVSISOWATT218DESCRIPTION The device is manu

 0.2. Size:247K  1
st2310dhi.pdfpdf_icon

2310

ST2310DHIHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING INTEGRATED FREE WHEELING DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY (> 1500 V) HIGH SWITCHING SPEED TIGTHER hfe CONTROL IMPROVED RUGGEDNESS32APPLICATIONS: 1 HORIZONTAL DEFLECTION HIGH END TVSISOWATT218DESCRIPTION The devi

 0.3. Size:55K  international rectifier
irl2310.pdfpdf_icon

2310

PD - 9.1275PRELIMINARY IRL2310HEXFET Power MOSFETAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceVDSS = 100VDynamic dv/dt RatingRepetitive Avalanche RatedRDS(on) = 0.040Logic-Level Gate DriveRDS(on) Specified at VGS= 4.5V & 10V175C Operating TemperatureID = 40ADescriptionFourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing tech

Другие MOSFET... TX40N06B , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 5N60 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G .

History: AOC2417 | AOD2910 | IRLU3714ZPBF | BRI2N70 | TK14C65W | RQ1E070RP | UJN1208K

 

 
Back to Top

 


 
.