Справочник MOSFET. 6435

 

6435 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 6435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L

 Аналог (замена) для 6435

 

 

6435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3461K  cn tuofeng
6435.pdf

6435
6435

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 643530V P-Channel MOSFETPDFN5X6-8LV(BR)DSS RDS(on)MAX IDTop View Bottom View0.012@-10.V-30V-34 A0.020@ -5.0VPIN1General FEATURETrenchFET Power MOSFETEquivalent CircuitMarkingLead free product is acquired D D D DDSurface mount package6435TFCYWPGAPP

 0.1. Size:4760K  1
jsm6435.pdf

6435
6435

JSM6435P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30V P-Channel MOSFETPDFN5X6-8LV(BR)DSS RDS(on)MAX IDTop View Bottom View0.012@-10.V-30V-34 A0.020@ -5.0VPIN1General FEATURETower MOSFET Equivalent CircuitMarkingLead free product is acquired D D D DDSurface mount package6435GAPPLICATIONSS S S G

 0.2. Size:198K  vishay
si6435adq.pdf

6435
6435

Si6435ADQVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs0.030 at VGS = - 10 V 5.5- 30RoHS0.055 at VGS = - 4.5 V 4.1COMPLIANTS*GTSSOP-8* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8S S2 7Si6435ADQS S3 6G D4 5DTop ViewP-Channel MO

 0.3. Size:267K  aosemi
aon6435.pdf

6435
6435

AON643530V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AON6435 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS= -10V) -34Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS= -10V)

 0.4. Size:864K  cn vbsemi
si6435adq-t1.pdf

6435
6435

SI6435ADQ-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.012 at VGS = - 4.5 V Available- 9.0RoHS*0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8COMPLIANT0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0S*TSSOP-8 GD D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common.2 7 S S 3

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top