WSD2012DN25 - описание и поиск аналогов

 

WSD2012DN25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSD2012DN25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2600 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: DFN2X5

Аналог (замена) для WSD2012DN25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD2012DN25 даташит

 ..1. Size:1316K  winsok
wsd2012dn25.pdfpdf_icon

WSD2012DN25

WSD2012DN25 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD2012DN25 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell 9.5m (max) density , which provide excellent RDSON and gate 20V 11A charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSD2012DN25 meet the RoHS and Green Power management

 8.1. Size:1808K  winsok
wsd2018adn22.pdfpdf_icon

WSD2012DN25

WSD2018ADN22 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD2018ADN22 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 20V 9.5m 11A excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch Applications applications. The WSD2018ADN22 meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load S

 8.2. Size:2643K  winsok
wsd2018dn22.pdfpdf_icon

WSD2012DN25

WSD2018DN22 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD2018DN22 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 20V 15m (MAX) 12A gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSD2018DN22 meet the RoHS and Green Product requirement

 8.3. Size:1786K  winsok
wsd2018bdn22.pdfpdf_icon

WSD2012DN25

WSD2018BDN22 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD2018BDN22 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 12V 11.5m (MAX) 12.3A excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSD2018BDN22 meet the RoHS and Green Product req

Другие MOSFET... WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN , AON7506 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 , WSD2018DN22 , WSD2050DN , WSD2054DN22 , WSD2068 , WSD2075DN , WSD2090DN56 .

History: 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513 | JCS10N70C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.