WSD20L50DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSD20L50DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3A-8-EP
Аналог (замена) для WSD20L50DN
WSD20L50DN Datasheet (PDF)
wsd20l50dn.pdf
WSD20L50DNP-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD20L50DN is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and -20V 9.0m -50Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD20L50DN meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS
wsd20l120dn56.pdf
WSD20L120DN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD20L120DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate -20V 2.1m -120Acharge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD20L120DN56 meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load Sy
wsd20l70dn.pdf
WSD20L70DNP-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD20L70DN is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -20V 6.7m -70Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD20L70DN meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS gu
wsd20l75dn.pdf
WSD20L75DNP-Ch MOSFET Product SummeryGeneral Description Description The WSD20L75DN uses advanced BVDSS RDSON ID trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be -20V 4.8m -75Aused in a wide variety of applications. Applications Load switch Features Battery protection High density cell design for ultra low RdsonDFN3X
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918