WSD3069DN56 - описание и поиск аналогов

 

WSD3069DN56. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSD3069DN56

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6C-8

Аналог (замена) для WSD3069DN56

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD3069DN56 даташит

 ..1. Size:3084K  winsok
wsd3069dn56.pdfpdf_icon

WSD3069DN56

WSD3069DN56 N-Ch and P-Channel MOSFET General Description Product Summery The WSD3069DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch and P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 16A 30V 15m gate charge for most of the synchronous buck converter applications . -30V 15m -16A The WSD3069DN56 meet the RoHS and Green Applic

 8.1. Size:4767K  winsok
wsd3067dn56.pdfpdf_icon

WSD3069DN56

WSD3067DN56 N-Ch and P-Channel MOSFET General Description Product Summery The WSD3067DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch and P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent 30V 15m 24A RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . -30V 11m -19.8A The WSD3067 meet the RoHS and Green Application

 8.2. Size:625K  winsok
wsd3066dn.pdfpdf_icon

WSD3069DN56

WSD3066DN N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD3066DN is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide 30V 5.5m 45A excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD3066DN meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load Synchronous

 9.1. Size:1410K  winsok
wsd30l20dn.pdfpdf_icon

WSD3069DN56

WSD30L20DN P-Ch MOSFET Product Summery Description The WSD30L20DN uses advanced trench technology to VDS RDS(ON) ID provide excellent RDS(ON), low gate charge and -30 18m -20A operation with gate voltages as low as 4.5V.This device Application is suitable for use as a Battery protection or in other Lithium battery protection Switching application Wireless impact Mobile phone fast

Другие MOSFET... WSD3028DN , WSD3030DN , WSD3042DN56 , WSD3045DN , WSD3050DN , WSD3056DN , WSD3066DN , WSD3067DN56 , IRF1405 , WSD3070DN , WSD3075DN56 , WSD3095DN56 , WSD30L120DN56 , WSD30L20DN , WSD30L30DN , WSD30L40DN , WSD30L60DN56 .

History: STD12NF06 | CS8N70FA9H2-G | MXP6018CT | LPM3400B3F | IRFP257 | IRLR2905ZTR | WMO3N120D1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.