Справочник MOSFET. WSD3069DN56

 

WSD3069DN56 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSD3069DN56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6C-8
 

 Аналог (замена) для WSD3069DN56

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD3069DN56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3084K  winsok
wsd3069dn56.pdfpdf_icon

WSD3069DN56

WSD3069DN56N-Ch and P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD3069DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch and P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 16A30V 15mgate charge for most of the synchronous buck converter applications . -30V 15m -16AThe WSD3069DN56 meet the RoHS and Green Applic

 8.1. Size:4767K  winsok
wsd3067dn56.pdfpdf_icon

WSD3069DN56

WSD3067DN56N-Ch and P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD3067DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch and P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent 30V 15m 24ARDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . -30V 11m -19.8AThe WSD3067 meet the RoHS and Green Application

 8.2. Size:625K  winsok
wsd3066dn.pdfpdf_icon

WSD3069DN56

WSD3066DNN-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD3066DN is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide 30V 5.5m 45Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD3066DN meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load Synchronous

 9.1. Size:1410K  winsok
wsd30l20dn.pdfpdf_icon

WSD3069DN56

WSD30L20DNP-Ch MOSFET Product SummeryDescriptionThe WSD30L20DN uses advanced trench technology to VDS RDS(ON) IDprovide excellent RDS(ON), low gate charge and -30 18m -20Aoperation with gate voltages as low as 4.5V.This device Applicationis suitable for use as a Battery protection or in other Lithium battery protectionSwitching application Wireless impact Mobile phone fast

Другие MOSFET... WSD3028DN , WSD3030DN , WSD3042DN56 , WSD3045DN , WSD3050DN , WSD3056DN , WSD3066DN , WSD3067DN56 , NCEP15T14 , WSD3070DN , WSD3075DN56 , WSD3095DN56 , WSD30L120DN56 , WSD30L20DN , WSD30L30DN , WSD30L40DN , WSD30L60DN56 .

History: WMU080N10HG2 | STP40N20 | NTD14N03R-1G | 11P50A | APT12080B2VFR | SIHG70N60EF | 6N80

 

 
Back to Top

 


 
.