FCA35N60 - описание и поиск аналогов

 

FCA35N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCA35N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FCA35N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCA35N60 даташит

 ..1. Size:764K  fairchild semi
 fca35n60.pdf pdf_icon

FCA35N60

March 2009 SuperFETTM FCA35N60 600V N-Channel MOSFET Features Description SuperFETTM is Farichild s proprietary, new generation of high 650V @ TJ = 150 C voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge bal- Typ.RDS(on) = 0.079 ance mechanism for outstanding low on-resistance and lower Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 139nC ) gate charge performance.

 ..2. Size:1531K  onsemi
 fca35n60.pdf pdf_icon

FCA35N60

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... BSS138K , BSS138W , FCA16N60N , IRF220 , FCA20N60F , IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , IRF730 , IRF223 , FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , BUZ81 , FCA47N60F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.