Справочник MOSFET. FCA35N60

 

FCA35N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FCA35N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для FCA35N60

 

 

FCA35N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  fairchild semi
 fca35n60.pdf

FCA35N60 FCA35N60

March 2009SuperFETTMFCA35N60600V N-Channel MOSFET Features DescriptionSuperFETTM is Farichilds proprietary, new generation of high 650V @ TJ = 150Cvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge bal- Typ.RDS(on) = 0.079 ance mechanism for outstanding low on-resistance and lower Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 139nC ) gate charge performance.

 ..2. Size:1531K  onsemi
 fca35n60.pdf

FCA35N60 FCA35N60

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... BSS138K , BSS138W , FCA16N60N , IRF220 , FCA20N60F , IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , IRFB3206 , IRF223 , FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , BUZ81 , FCA47N60F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C .

 

 
Back to Top