WNM3018 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WNM3018
Маркировка: 18*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.31 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.23 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.6 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 22 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
Тип корпуса: SOT323
WNM3018 Datasheet (PDF)
wnm3018.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WNM3018 WNM3018 Http://www.sh-willsemi.com Small Signal N-Channel, 50V, 0.2A, MOSFET V (V) Typical Rds(on) ()DS1.2@ V =10VGS1.4@ V =4.5VGS501.9@ V =2.5VGS5.4@ V =1.8VGSESD Rating: 2000V HBMDescriptions The WNM3018 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench Pin configuration (Top view) technology and design to provide exc
wnm3017.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WNM3017 WNM3017 www.sh-willsemi.com Single N-Channel, 30V, 5.7A, Power MOSFET (4) (5)VDS (V) Typical RDS(on) (m) (6) (7) (8) 30V 17@ VGS=10V (3) (1) (2)(2)(1)(3) Descriptions DFN2x2-6L D D SThe WNM3017 is N-Channel enhancement 6 5 4MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) 7 8D Swith
wnm3011.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WNM3011WNM3011Http://www.willsemi.com N-Channel, 30V, 5.7A, Power MOSFET Rds(on) V(BR)DSS()0.028@ 10V30V0.039@ 4.5VSOT-23-6L SD DDescriptions6 5 4The WNM3011 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC 1 2 3D
wnm3013.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WNM3013 WNM3013 Http://www.sh-willsemi.com Small Signal N-Channel, 50V, 0.25A, MOSFET DV (V) Typical Rds(on) ()DS1.2@ V =10VGS1.4@ V =4.5VGSS50G1.9@ V =2.5VGS4.0@ V =1.8VGSSOT-723 ESD Rating: 2000V HBMD3Descriptions 1 2The WNM3013 is N-Channel enhancement MOS G SField Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to prov
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: CS3018W
History: CS3018W
![WNM3018](https://alltransistors.com/images/us.png)
![WNM3018](https://alltransistors.com/images/es.png)
![WNM3018](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C