SE1991GA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SE1991GA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1360 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO220 TO263
Аналог (замена) для SE1991GA
SE1991GA Datasheet (PDF)
se1991ga.pdf

SE1991GAN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =100VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =3.8m @V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSe
se1991g.pdf

SE1991GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =100VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =3.8m @V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSee
Другие MOSFET... SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , IRF2807 , SE200100G , SE20040 , SE20075 , SE2060 , SE20N110 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E .
History: IRF523FI | MTE050N15BRV8 | WMO80R720S
History: IRF523FI | MTE050N15BRV8 | WMO80R720S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852