Справочник MOSFET. SE1991GA

 

SE1991GA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SE1991GA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 223 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 115 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 1360 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO263

 Аналог (замена) для SE1991GA

 

 

SE1991GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:359K  cn sino-ic
se1991ga.pdf

SE1991GA
SE1991GA

SE1991GAN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =100VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =3.8m @V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSe

 7.1. Size:359K  cn sino-ic
se1991g.pdf

SE1991GA
SE1991GA

SE1991GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =100VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =3.8m @V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSee

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top