Справочник MOSFET. SE20N110

 

SE20N110 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SE20N110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для SE20N110

 

 

SE20N110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  cn sino-ic
 se20n110.pdf

SE20N110 SE20N110

May 2015SE20N110N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =3.9m @V =4.5VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin confi

 9.1. Size:442K  bruckewell
 mse20n06n.pdf

SE20N110 SE20N110

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSE20N06N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media Players Notes a. Surface Mounted on 1 x 1 FR4 Board. b. Pulse width limited

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top