Справочник MOSFET. SE20N110

 

SE20N110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE20N110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для SE20N110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE20N110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  cn sino-ic
 se20n110.pdf pdf_icon

SE20N110

May 2015SE20N110N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =3.9m @V =4.5VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin confi

 9.1. Size:442K  bruckewell
 mse20n06n.pdf pdf_icon

SE20N110

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSE20N06N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media Players Notes a. Surface Mounted on 1 x 1 FR4 Board. b. Pulse width limited

Другие MOSFET... SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , SE2060 , CS150N03A8 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A , SE2333 .

History: VBE1615 | UT2316 | SFF40N30ZUB | IRFS7537PBF | APT8052BFLL | TPC8076 | DMP3035SFG

 

 
Back to Top

 


 
.