SE20N110 - описание и поиск аналогов

 

SE20N110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE20N110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для SE20N110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE20N110 даташит

 ..1. Size:367K  cn sino-ic
 se20n110.pdf pdf_icon

SE20N110

May 2015 SE20N110 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =3.9m @V =4.5V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin confi

 9.1. Size:442K  bruckewell
 mse20n06n.pdf pdf_icon

SE20N110

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSE20N06N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media Players Notes a. Surface Mounted on 1 x 1 FR4 Board. b. Pulse width limited

Другие MOSFET... SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , SE2060 , IRF520 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A , SE2333 .

History: SE200100G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.