SE6050B - описание и поиск аналогов

 

SE6050B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE6050B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SE6050B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE6050B даташит

 ..1. Size:430K  cn sino-ic
 se6050b.pdf pdf_icon

SE6050B

SE6050B N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V =60V DS low gate charge. It can be used in a wide R =11m @V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below G D TO-252 S Absolute Maximum Ratings Pa

Другие MOSFET... SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , IRLB4132 , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U .

History: SI2351DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.