Справочник MOSFET. SE6050B

 

SE6050B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE6050B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SE6050B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE6050B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  cn sino-ic
 se6050b.pdf pdf_icon

SE6050B

SE6050BN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V =60VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =11m @V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowGDTO-252SAbsolute Maximum RatingsPa

Другие MOSFET... SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , 5N60 , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U .

History: 2SJ285 | SWT69N65K2F | SI8499DB | LP2309LT1G | APT60M75L2LL | AOH3106

 

 
Back to Top

 


 
.