APM2306A - описание и поиск аналогов

 

APM2306A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APM2306A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для APM2306A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM2306A даташит

 ..1. Size:305K  sino
apm2306a.pdfpdf_icon

APM2306A

APM2306A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/3.5A , D RDS(ON)= 65m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)= 90m (max.) @ VGS=5V G Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Top View of SOT-23-3 Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Powered Sys

 8.1. Size:497K  sino
apm2304a.pdfpdf_icon

APM2306A

APM2304A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/5A, D RDS(ON)= 22m (typ.) @ VGS= 10V S RDS(ON)= 32m (typ.) @ VGS= 4.5V G Super High Dense Cell Design Top View of SOT-23-3 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Power

 8.2. Size:169K  sino
apm2301ca.pdfpdf_icon

APM2306A

APM2301CA P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -20V/-3A D RDS(ON)= 70m (max.) @ VGS= -4.5V S RDS(ON)= 115m (max.) @ VGS= -2.5V G RDS(ON)= 250m (max.) @ VGS= -1.8V Reliable and Rugged Top View of SOT-23 Lead Free and Green Devices Available ( RoHS Compliant) D G Applications Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and

 8.3. Size:498K  sino
apm2303a.pdfpdf_icon

APM2306A

APM2303A P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30V/-4A, D RDS(ON)=55m (max.) @ VGS=-10V S RDS(ON)=70m (max.) @ VGS=-4.5V G RDS(ON)=115m (max.) @ VGS=-2.5V Top View of SOT-23-3 Super High Dense Cell Design D Reliable and Rugged Enhance ESD Cell Protection Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G Applications P

Другие MOSFET... SED30P30M , SED4060G , SED4060GM , SED5852 , SED8830A , SED8840 , APM2300CA , APM2301CA , IRF830 , APM2309A , APM2317A , APM2324AA , APM2360A , SM1A16PUB , SM1A63NHUC , SM3419NHQA , SM3429BSQA .

History: NCE55P05S | 2SK3496-01MR | AP4511GED-HF | SM7340EHKP | JCS4N60CB | SM4804DSK | ELM32430LA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.