Справочник MOSFET. FCD7N60

 

FCD7N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCD7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1005K  fairchild semi
fcd7n60 fcu7n60.pdfpdf_icon

FCD7N60

December 2008 TMSuperFETFCD7N60 / FCU7N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.53balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=23nC) lower gate charge performan

 ..2. Size:543K  onsemi
fcd7n60.pdfpdf_icon

FCD7N60

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... 2SK3469-01MR , FCB20N60F , FCB36N60N , 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , IRFB4115 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 .

History: SDF320JDA | PHB152NQ03LTA | TF2302 | DMT6009LCT | EFC6602R | 2SK2294 | PMN30UNE

 

 
Back to Top

 


 
.