Справочник MOSFET. VSP007P06MS

 

VSP007P06MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSP007P06MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для VSP007P06MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSP007P06MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  cn vanguard
vsp007p06ms.pdfpdf_icon

VSP007P06MS

VSP007P06MS -60V/-80A P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -60 VR DS(on),TYP@ VGS=-10 V 8.0 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 10.0 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -80 A Fast Switching Enhancement mode PDFN5x6 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Ty

 8.1. Size:779K  cn vanguard
vsp007n07ms.pdfpdf_icon

VSP007P06MS

VSP007N07MS 80V/65A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 65 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology PDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part I

 8.2. Size:978K  cn vgsemi
vsp007n04ms-g.pdfpdf_icon

VSP007P06MS

VSP007N04MS-G40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.1 m Very Low on-resistance RDS(on)I D 80 A VitoMOS TechnologyPDFN5x6 100% Avalanche testTape and reelPart ID Package Type MarkinginformationVSP007N04MS-G PDFN5x6 007N04M 3000PCS/ReelMaximum ratings, at

 9.1. Size:715K  cn vanguard
vsp008n10msc.pdfpdf_icon

VSP007P06MS

VSP008N10MSC 100V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.2 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.7 m Enhancement mode I D 85 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology PDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Pa

Другие MOSFET... VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS , 5N65 , VSP008N10MSC , VSP020P06MS , VST007N07MS , VST012N06MS , VST018N10MS , 2SK2897-01 , 2SK2907-01 , 2SK2908-01L .

History: S85N042RP | BSC014N04LSI | NCE60P25 | SM4441 | PDC2603Z | CHM3413KGP

 

 
Back to Top

 


 
.