Справочник MOSFET. 2SK3112-S

 

2SK3112-S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK3112-S
   Маркировка: 60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для 2SK3112-S

 

 

2SK3112-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  1
 2sk3112-s 2sk3112-zj 2sk3112.pdf

2SK3112-S 2SK3112-S

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3112SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONORDERING INFORMATION The 2SK3112 is N-channel MOS FET device that features aPART NUMBER PACKAGElow on-state resistance and excellent switching characteristics,2SK3112 TO-220ABand designed for high voltage applications such as DC/DC2SK3112-S TO-262converter, actuator d

 ..2. Size:282K  inchange semiconductor
 2sk3112-s.pdf

2SK3112-S 2SK3112-S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3112-SFEATURESDrain Current : I = 25A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 110m(Max) @VGS= 10VDS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 6.1. Size:356K  inchange semiconductor
 2sk3112-zj.pdf

2SK3112-S 2SK3112-S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3112-ZJFEATURESDrain Current : I = 25A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 110m(Max) @VGS= 10VDS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

 7.1. Size:46K  kexin
 2sk3112.pdf

2SK3112-S

SMD Type MOSFETMOS Field Effect Transistor2SK3112TO-263Unit: mmFeatures+0.24.57-0.2Gate voltage rating 30 V+0.11.27-0.1Low on-state resistanceRDS(on) = 110m MAX. (VGS =10 V, ID = 13A)Low input capacitance+0.10.1max1.27-0.1Ciss = 1600 pF TYP. (VDS =10V, VGS =0V)+0.1Avalanche capability rated 0.81-0.12.54Built-in gate protection diode1Gate+0.22.54-0

 7.2. Size:288K  inchange semiconductor
 2sk3112.pdf

2SK3112-S 2SK3112-S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3112FEATURESDrain Current : I = 25A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =110m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSO

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTLUS3A39PZ | RFP50N05L

 

 
Back to Top