SM3404SRL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM3404SRL
Маркировка: A09T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.55 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SM3404SRL Datasheet (PDF)
sm3404srl.pdf
SM3404SRL30V /5A Single N Power MOSFET B N03B N 30V /5A Single N Power MOSFET 5N03BGeneral Description 30 VV DS30V /5A Single N Power MOSFET 30.1 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 47.3 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 5 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedSM340
tsm3404cx.pdf
TSM3404 30V N-Channel MOSFET SOT-23 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Drain 30 @ VGS = 10V 5.8 30 43 @ VGS = 4.5V 5.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Ordering Information Part No. Pac
sm3404nsqg.pdf
SM3404NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD 30V/50A, DRDS(ON) =2.8m(max.) @ VGS =10VRDS(ON) =3.6m(max.) @ VGS =4.5VGSSS ESD protectionDFN3.3x3.3-8(Saw-EP) 100% UIS + Rg Tested Avalanche Rated(5,6,7,8)DDDD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(4) GApplications Power Management
gsm3404.pdf
GSM3404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3404, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=30m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.2A,RDS(ON)=34m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) Volta
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F