SM3404SRL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SM3404SRL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SM3404SRL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SM3404SRL даташит
sm3404srl.pdf
SM3404SRL 30V /5A Single N Power MOSFET B N03B N 30V /5A Single N Power MOSFET 5N03B General Description 30 V V DS 30V /5A Single N Power MOSFET 30.1 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 47.3 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 5 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested SM340
tsm3404cx.pdf
TSM3404 30V N-Channel MOSFET SOT-23 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Drain 30 @ VGS = 10V 5.8 30 43 @ VGS = 4.5V 5.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Ordering Information Part No. Pac
sm3404nsqg.pdf
SM3404NSQG N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D D 30V/50A, D RDS(ON) =2.8m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) =3.6m (max.) @ VGS =4.5V G S S S ESD protection DFN3.3x3.3-8(Saw-EP) 100% UIS + Rg Tested Avalanche Rated (5,6,7,8) DDDD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) (4) G Applications Power Management
gsm3404.pdf
GSM3404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3404, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=30m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.2A,RDS(ON)=34m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) Volta
Другие MOSFET... SM2306 , SM2312SRL , SM2314 , SM3012T9RL , SM32314D1RL , SM3400 , SM3401 , SM3402SRL , IRFP260N , SM3407 , SM3415 , SM3416 , SM360R65CT2TL , SM360R65CT1TL , SM4012T9RL , SM4132T9RL , SM4146T9RL .
History: P0465ATF | AOB1608L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60




