STU660 - аналоги и даташиты транзистора

 

STU660 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STU660
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для STU660

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU660 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  samhop
 stu660 std660.pdf pdf_icon

STU660

GreenProductSTU/D660SamHop Microelectronics Corp.Ver 2.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.620 @VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.80V 3A800 @VGS=4.5VESD Protected.DGGGSSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-

 9.1. Size:124K  samhop
 stu666s std666s.pdf pdf_icon

STU660

STU666SGreenProductSTD666SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.101 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.60V 6A 126 @ VGS=4.5V GSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOL

 9.2. Size:124K  samhop
 stu668s std668s.pdf pdf_icon

STU660

STU668SGreenProductSTD668SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.9.0 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.60V 50A13.2 @ VGS=4.5VGSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOL

 9.3. Size:117K  samhop
 stu664s std664s.pdf pdf_icon

STU660

STU664SGreenProductSTD664SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.60V 30A 20 @VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , IRFP260 , FCH47N60N , STU650S , FCH47N60NF , STU630S , FCH76N60N , STU624S , FCH76N60NF , STU622S .

 

 
Back to Top

 


 
.