AM4392N-T1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AM4392N-T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 typ Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AM4392N-T1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AM4392N-T1 даташит
am4392n-t1.pdf
AM4392N-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 200 0.260 at VGS = 10 V 3 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS D Primary Side Switch SO-8 SD 1 8 SD 2 7 G SD 3 6 GD 4 5 S Top View N-Chann
am4392n.pdf
Analog Power AM4392N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 255 @ VGS = 10V 2.9 Low thermal impedance 150 290 @ VGS = 5.5V 2.7 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI
am4394n.pdf
Analog Power AM4394N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 50 @ VGS = 10V 6.5 Low thermal impedance 150 60 @ VGS = 5.5V 5.9 Fast switching speed SO-8 Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE
am4390n.pdf
Analog Power AM4390N N-Channel 150V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.625 @ VGS = 10 V 1.9 battery-powered products suc
Другие MOSFET... AFP2307AS23 , AM20P06-135 , AM2319P-T1 , AM2336N-T1 , AM2339P-T1 , AM2340NE-T1 , AM2358N-T1 , AM3401E3VR , RFP50N06 , AM4929P-T1 , AM4930N-T1 , AM60N10-70PC , AO2301 , AO4602 , AO4606A , AO4614-30V , AO4816 .
History: WML10N80M3
History: WML10N80M3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor





