Справочник MOSFET. AM4392N-T1

 

AM4392N-T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM4392N-T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AM4392N-T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4392N-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:848K  cn vbsemi
am4392n-t1.pdfpdf_icon

AM4392N-T1

AM4392N-T1www.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.260 at VGS = 10 V3 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSD Primary Side SwitchSO-8SD1 8SD2 7GSD3 6GD4 5STop ViewN-Chann

 7.1. Size:313K  analog power
am4392n.pdfpdf_icon

AM4392N-T1

Analog Power AM4392NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)255 @ VGS = 10V2.9 Low thermal impedance 150290 @ VGS = 5.5V2.7 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI

 9.1. Size:320K  analog power
am4394n.pdfpdf_icon

AM4392N-T1

Analog Power AM4394NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)50 @ VGS = 10V6.5 Low thermal impedance 15060 @ VGS = 5.5V5.9 Fast switching speed SO-8 Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

 9.2. Size:192K  analog power
am4390n.pdfpdf_icon

AM4392N-T1

Analog Power AM4390NN-Channel 150V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.625 @ VGS = 10 V 1.9battery-powered products suc

Другие MOSFET... AFP2307AS23 , AM20P06-135 , AM2319P-T1 , AM2336N-T1 , AM2339P-T1 , AM2340NE-T1 , AM2358N-T1 , AM3401E3VR , SKD502T , AM4929P-T1 , AM4930N-T1 , AM60N10-70PC , AO2301 , AO4602 , AO4606A , AO4614-30V , AO4816 .

 

 
Back to Top

 


 
.