AP2300GN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP2300GN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для AP2300GN
AP2300GN Datasheet (PDF)
ap2300gn.pdf
AP2300GNwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC Conve
ap2300mi.pdf
AP2300MI20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2300MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =3.3A DS DR
ap2300ai.pdf
AP2300AI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2300AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V,I = 3.3A DS DR
Другие MOSFET... AO2301 , AO4602 , AO4606A , AO4614-30V , AO4816 , AOD438 , AOD522 , AP10P10GH , 75N75 , AP2301N , AP2305GN , AP2306AGN , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , AP2310GG , AP4565GM-30V .
History: S10H12S | MMFTN3019E | SWHA088R06VT | IRF7343 | TPCA8123 | AP2306AGN | SVS20N60KD2
History: S10H12S | MMFTN3019E | SWHA088R06VT | IRF7343 | TPCA8123 | AP2306AGN | SVS20N60KD2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt





