Справочник MOSFET. FDN338P-NL

 

FDN338P-NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDN338P-NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для FDN338P-NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDN338P-NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:869K  cn vbsemi
fdn338p-nl.pdfpdf_icon

FDN338P-NL

FDN338P-NLwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATI

 7.1. Size:267K  fairchild semi
fdn338p.pdfpdf_icon

FDN338P-NL

September 2001 FDN338P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses 1.6 A, 20 V. R = 115 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSFairchilds advanced low voltage PowerTrench process. R = 155 m @ V = 2.5 V DS(ON) GSIt has been optimized for battery power management applications. Fast switchi

 7.2. Size:321K  onsemi
fdn338p.pdfpdf_icon

FDN338P-NL

November 2013FDN338P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses 1.6 A, 20 V. R = 115 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSFairchilds advanced low voltage PowerTrench process. R = 155 m @ V = 2.5 V DS(ON) GSIt has been optimized for battery power management applications. Fast switching

 7.3. Size:1909K  htsemi
fdn338p.pdfpdf_icon

FDN338P-NL

FDN338P20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -20V 115mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.6A= RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.3A= 155m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions DGSSOT-23(PACKAGE)Millimeter MillimeterREF. REF. Min.Max. Min. Max.A 2.70 3.10 G 1.90 REF. B 2.40 2.80 H 1.

Другие MOSFET... F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 , FDN304P-NL , FDN335N-NL , FDN337N-NL , IRF730 , FDS4435-NL , FDS4450 , FDS4465-NL-9 , FDS4685-NL , FDS4897A , FDS4935BZ-NL-38 , FDS4936 , FDS6675B .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | CEP14A04 | CHM5813ESQ2GP | 2SK1280

 

 
Back to Top

 


 
.