FDN338P-NL - описание и поиск аналогов

 

FDN338P-NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDN338P-NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 typ Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для FDN338P-NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDN338P-NL даташит

 ..1. Size:869K  cn vbsemi
fdn338p-nl.pdfpdf_icon

FDN338P-NL

FDN338P-NL www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATI

 7.1. Size:267K  fairchild semi
fdn338p.pdfpdf_icon

FDN338P-NL

September 2001 FDN338P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses 1.6 A, 20 V. R = 115 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. R = 155 m @ V = 2.5 V DS(ON) GS It has been optimized for battery power management applications. Fast switchi

 7.2. Size:321K  onsemi
fdn338p.pdfpdf_icon

FDN338P-NL

November 2013 FDN338P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses 1.6 A, 20 V. R = 115 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. R = 155 m @ V = 2.5 V DS(ON) GS It has been optimized for battery power management applications. Fast switching

 7.3. Size:1909K  htsemi
fdn338p.pdfpdf_icon

FDN338P-NL

FDN338P 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -20V 115m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.6A= RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.3A= 155m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D G S SOT-23(PACKAGE) Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 2.70 3.10 G 1.90 REF. B 2.40 2.80 H 1.

Другие MOSFET... F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 , FDN304P-NL , FDN335N-NL , FDN337N-NL , IRFB31N20D , FDS4435-NL , FDS4450 , FDS4465-NL-9 , FDS4685-NL , FDS4897A , FDS4935BZ-NL-38 , FDS4936 , FDS6675B .

History: DMJ70H1D0SV3 | 1D5N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.