FDS4936 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDS4936 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDS4936
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для FDS4936

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS4936 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:833K  cn vbsemi
 fds4936.pdf pdf_icon

FDS4936

FDS4936www.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

 8.1. Size:113K  fairchild semi
 fds4935a.pdf pdf_icon

FDS4936

March 2002 FDS4935A Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 7 A, 30 V RDS(ON) = 23 m @ VGS = 10 V Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management applications requiring a wide ran

 8.2. Size:158K  fairchild semi
 fds4935bz.pdf pdf_icon

FDS4936

September 2006tmFDS4935BZDual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET General Description FeaturesThis P-Channel MOSFET has been designed 6.9 A, 30 V. RDS(ON) = 22 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery

 8.3. Size:154K  onsemi
 fds4935bz.pdf pdf_icon

FDS4936

September 2006tmFDS4935BZDual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET General Description FeaturesThis P-Channel MOSFET has been designed 6.9 A, 30 V. RDS(ON) = 22 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDN337N-NL , FDN338P-NL , FDS4435-NL , FDS4450 , FDS4465-NL-9 , FDS4685-NL , FDS4897A , FDS4935BZ-NL-38 , 60N06 , FDS6675B , FDS8333C , FDS8435A , FDS8984-NL , FDS9435 , FDS9435A-NL , FDS9945-NL , FDT1600N10A .

History: PB606BA | AOWF15S65 | IXFR48N50Q

 

 
Back to Top

 


 
.