Справочник MOSFET. FL014N

 

FL014N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FL014N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для FL014N

 

 

FL014N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:924K  cn vbsemi
 fl014n.pdf

FL014N FL014N

FL014Nwww.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless

 0.1. Size:158K  international rectifier
 irfl014npbf.pdf

FL014N FL014N

PD- 95352IRFL014NPbFHEXFET Power MOSFETl Surface Mountl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl Fast SwitchingRDS(on) = 0.16l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 1.9ASDescriptionFifth Generation HEXFET MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on

 0.2. Size:215K  international rectifier
 auirfl014n.pdf

FL014N FL014N

AUTOMOTIVE GRADEAUIRFL014NHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Planar TechnologyD Low On-ResistanceV(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 150C Operating TemperatureRDS(on) max.0.16G Fast Switching Fully Avalanche RatedS Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 1.9A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DDescriptionSpecifically designed f

 0.3. Size:144K  international rectifier
 irfl014n.pdf

FL014N FL014N

PD- 92003AIRFL014NHEXFET Power MOSFET Surface MountD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.16 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 1.9ASDescriptionFifth Generation HEXFET MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silic

 0.4. Size:158K  infineon
 irfl014npbf.pdf

FL014N FL014N

PD- 95352IRFL014NPbFHEXFET Power MOSFETl Surface Mountl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl Fast SwitchingRDS(on) = 0.16l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 1.9ASDescriptionFifth Generation HEXFET MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top