Справочник MOSFET. FQD13N10LTF

 

FQD13N10LTF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQD13N10LTF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.114(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для FQD13N10LTF

 

 

FQD13N10LTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:884K  cn vbsemi
 fqd13n10ltf.pdf

FQD13N10LTF FQD13N10LTF

FQD13N10LTFwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 5.1. Size:630K  fairchild semi
 fqd13n10l fqu13n10l.pdf

FQD13N10LTF FQD13N10LTF

January 2009QFETFQD13N10L / FQU13N10L100V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 100V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 8.7 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology is especi

 5.2. Size:1231K  onsemi
 fqd13n10l fqu13n10l.pdf

FQD13N10LTF FQD13N10LTF

January 2014FQD13N10L / FQU13N10LN-Channel QFET MOSFET100 V, 10 A, 180 mDescription FeaturesThis N-Channel enhancement mode power MOSFET 10 A, 100 V, RDS(on) = 180 m (Max.) @ VGS = 10 V,is produced using Fairchild Semiconductors proprietary ID = 5.0 Aplanar stripe and DMOS technology. This advanced Low Gate Charge (Typ. 8.7 nC)MOSFET technology has been

 5.3. Size:847K  cn vbsemi
 fqd13n10l.pdf

FQD13N10LTF FQD13N10LTF

FQD13N10Lwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top