Справочник MOSFET. FTD2017

 

FTD2017 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTD2017
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 330 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTD2017 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  sanyo
 ftd2017.pdf pdf_icon

FTD2017

Ordering number:ENN6361N-Channel Silicon MOSFETFTD2017Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2155A Mounting height 1.1mm.[FTD2017] Composite type, facilitating high-density mounting.3.0 0.4250.658 51 : Drain12 : Source11 4 3 : Source10.1254 : Gate10.255 : Gate26 : Source27 : Source28

 ..2. Size:2022K  cn vbsemi
 ftd2017.pdf pdf_icon

FTD2017

FTD2017www.VBsemi.twDual N-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.022 at VGS = 4.5 V Available6.625RoHS*0.032 at VGS = 2.5 V 5.5COMPLIANTDDTSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G21 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 0.1. Size:985K  cn vbsemi
 ftd2017a.pdf pdf_icon

FTD2017

FTD2017Awww.VBsemi.twDual N-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.022 at VGS = 4.5 V Available6.625RoHS*0.032 at VGS = 2.5 V 5.5COMPLIANTDDTSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G21 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 8.1. Size:41K  sanyo
 ftd2014.pdf pdf_icon

FTD2017

Ordering number:ENN6267N-Channel Silicon MOSFETFTD2014Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2155A Mounting height 1.1mm.[FTD2014] Composite type, facilitating high-density mounting.3.0 0.4250.658 51 : Drain12 : Source11 43 : Source10.1254 : Gate10.255 : Gate26 : Source27 : Source2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STP8NK85Z

 

 
Back to Top

 


 
.