Справочник MOSFET. IRLR014NTRP

 

IRLR014NTRP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLR014NTRP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0732 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRLR014NTRP

 

 

IRLR014NTRP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  cn vbsemi
 irlr014ntrp.pdf

IRLR014NTRP IRLR014NTRP

IRLR014NTRPwww.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters M

 6.1. Size:287K  international rectifier
 irlr014npbf irlu014npbf.pdf

IRLR014NTRP IRLR014NTRP

PD - 95551BIRLR014NPbFIRLU014NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Surface Mount (IRLR024N)Dl Straight Lead (IRLU024N)VDSS = 55Vl Advanced Process Technologyl Fast SwitchingRDS(on) = 0.14l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 10ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achiev

 6.2. Size:116K  international rectifier
 irlr014n irlu014n.pdf

IRLR014NTRP IRLR014NTRP

PD- 94350IRLR/U014NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Surface Mount (IRLR024N) VDSS = 55V Straight Lead (IRLU024N) Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.14G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 10ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve the lowest possible on-resistance

 6.3. Size:203K  international rectifier
 auirlr014n.pdf

IRLR014NTRP IRLR014NTRP

AUTOMOTIVE GRADEPD - 97740AUIRLR014N Advanced Planar Technology Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFET Low On-ResistanceD Dynamic dV/dT RatingV(BR)DSS55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) max.0.14G Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID 10AS Lead-Free, RoHS Compliant Auto

 6.4. Size:110K  international rectifier
 irlr014n.pdf

IRLR014NTRP IRLR014NTRP

PD- 94350IRLR/U014NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Surface Mount (IRLR024N) VDSS = 55V Straight Lead (IRLU024N) Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.14G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 10ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve the lowest possible on-resistance

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top