Справочник MOSFET. 30N03A

 

30N03A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 30N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 105 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 41 nC
   Время нарастания (tr): 36.4 ns
   Выходная емкость (Cd): 248 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для 30N03A

 

 

30N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:926K  umw-ic
30n03a.pdf

30N03A
30N03A

RUMW UMW 30N03A30V N-Channel PowerUMW 30N03AMosfetGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 30V,ID =90ARDS(ON),3.9 m(Typ) @ VGS =10VRDS(ON), 6.5m(Typ) @ VGS =4.5VLow on resistanceLow gate chargeFast swi

 0.1. Size:1587K  mcc
mcg30n03a.pdf

30N03A
30N03A

MCG30N03AFeatures High Density Cell Design For Low RDS(ON) Trench Power LV MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingN-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ord

 0.2. Size:988K  goford
g30n03a.pdf

30N03A
30N03A

GOFORDG30N03AN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G30N03A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =30A RDS(ON)

 0.3. Size:1293K  cn yangzhou yangjie elec
yjq30n03a.pdf

30N03A
30N03A

RoHS COMPLIANT YJQ30N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 30A D R ( at V =10V) 9 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 13 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell d

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top