Справочник MOSFET. AO3409A

 

AO3409A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO3409A
   Маркировка: A90T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6.8 nC
   Время нарастания (tr): 3.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 50.3 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AO3409A

 

 

AO3409A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1622K  umw-ic
 ao3409a.pdf

AO3409A AO3409A

RUMWUMW AO3409AUMW AO3409AFeaturesSOT23 VDS (V) = -30VID = -2.6 A (VGS = -10V)RDS(ON)

 8.1. Size:100K  1
 ao3409 ao3409l.pdf

AO3409A AO3409A

AO3409P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO3409 uses advanced trench technology to VDS (V) = -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID = -2.6 A (VGS = -10V)device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)

 8.2. Size:234K  aosemi
 ao3409.pdf

AO3409A AO3409A

AO340930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO3409 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. This device is ID (at VGS=-10V) -2.6Asuitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.3. Size:434K  shenzhen
 ao3409.pdf

AO3409A AO3409A

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd AO3409AO3409P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO3409 uses advanced trench technology to VDS (V) = -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID = -2.6 A (VGS = -10V)device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)

 8.4. Size:1224K  kexin
 ao3409.pdf

AO3409A AO3409A

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement ModeField Effect TransistorAO3409 (KO3409)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1Features3VDS (V) = -30VID = -2.6 A (VGS = -10V)1 2RDS(ON)

 8.5. Size:1335K  kexin
 ao3409 ko3409.pdf

AO3409A AO3409A

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFETAO3409 (KO3409)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1Features 3VDS (V) = -30VID = -2.6 A (VGS = -10V)RDS(ON)

 8.6. Size:1335K  kexin
 ao3409-3.pdf

AO3409A AO3409A

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFETAO3409 (KO3409)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1Features 3VDS (V) = -30VID = -2.6 A (VGS = -10V)RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top