Справочник MOSFET. AO3413A

 

AO3413A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO3413A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AO3413A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3413A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  umw-ic
ao3413a.pdfpdf_icon

AO3413A

RUMWUMW AO3413A20V P-Channel MOSFETSOT23 General DescriptionGeneral DescriptionThe AO3413 uses advanced trench technology toThe AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 1.8V. Thisoperation with gate voltages as low as 1.8V. This device

 8.1. Size:192K  1
ao3413l.pdfpdf_icon

AO3413A

AO3413P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO3413/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge andID = -3 A (VGS = -4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V. ThisRDS(ON)

 8.2. Size:456K  aosemi
ao3413.pdfpdf_icon

AO3413A

AO341320V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesGeneral Description FeaturesThe AO3413 uses advanced trench technology to VDS = -20VThe AO3413 uses advanced trench technology to VDS = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -3A (VGS = -4.5V)provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -3A (VGS = -4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V. This

 8.3. Size:2287K  kexin
ao3413-3.pdfpdf_icon

AO3413A

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO3413 (KO3413)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-20V ID =-3 A (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V) +0.11.9-0.2 RDS(ON) 130m (VGS =-1.8V)1. Gate2. SourceDD3. DrainGGSS Absolute

Другие MOSFET... IRLR8103VTR , IRLR8729TR , 100N03A , 30N03A , 35N06 , AO3402A , AO3403A , AO3409A , IRFB4115 , AO3414A , AO3416A , AO3422A , AO3423A , AO3442A , SI2301B , SI2302B , SI2304A .

History: PPMUT20V3 | 3N55 | WMB02DN10T1

 

 
Back to Top

 


 
.