Справочник MOSFET. AO3416A

 

AO3416A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO3416A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 328 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AO3416A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3416A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2685K  umw-ic
ao3416a.pdfpdf_icon

AO3416A

RUMWUMW AO3416AUMW AO3416AN-Channel MOSFET FeaturesSOT23 VDS (V) = 20V ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 26m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 34m (VGS = 1.8V)1. GATE MARKING 2. SOURCE DD 3. DRAIN AR6E GGSS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 20

 8.1. Size:411K  aosemi
ao3416.pdfpdf_icon

AO3416A

AO341620V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO3416 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=4.5V) 6.5Avoltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.2. Size:522K  shenzhen
ao3416.pdfpdf_icon

AO3416A

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., LtdAO3416N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO3416 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 6.0 Aoperation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)

 8.3. Size:2330K  kexin
ao3416.pdfpdf_icon

AO3416A

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETAO3416 (KO3416)SOT-23-3Unit: mm+0.2 Features 2.9 -0.1+0.10.4-0.1 VDS (V) = 20V3 ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 26m (VGS = 2.5V)1 2D D+0.02+0.1 RDS(ON) 34m (VGS = 1.8V) 0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2GG1. Gate2. SourceSS3. Drain

Другие MOSFET... 100N03A , 30N03A , 35N06 , AO3402A , AO3403A , AO3409A , AO3413A , AO3414A , STP75NF75 , AO3422A , AO3423A , AO3442A , SI2301B , SI2302B , SI2304A , SI2305A , SI2306A .

History: IRFZ48NPBF | OSG65R070PT3F | ME4972-G | P4506BD | PB606BA | CEM9936A | SI7617DN

 

 
Back to Top

 


 
.