AO3416A - описание и поиск аналогов

 

AO3416A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO3416A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 328 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AO3416A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3416A даташит

 ..1. Size:2685K  umw-ic
ao3416a.pdfpdf_icon

AO3416A

R UMW UMW AO3416A UMW AO3416A N-Channel MOSFET Features SOT 23 VDS (V) = 20V ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 26m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 34m (VGS = 1.8V) 1. GATE MARKING 2. SOURCE D D 3. DRAIN AR6E G G S S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 20

 8.1. Size:411K  aosemi
ao3416.pdfpdf_icon

AO3416A

AO3416 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AO3416 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=4.5V) 6.5A voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.2. Size:522K  shenzhen
ao3416.pdfpdf_icon

AO3416A

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd AO3416 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO3416 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 6.0 A operation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)

 8.3. Size:2330K  kexin
ao3416.pdfpdf_icon

AO3416A

SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET AO3416 (KO3416) SOT-23-3 Unit mm +0.2 Features 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 VDS (V) = 20V 3 ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 26m (VGS = 2.5V) 1 2 D D +0.02 +0.1 RDS(ON) 34m (VGS = 1.8V) 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9 -0.2 G G 1. Gate 2. Source S S 3. Drain

Другие MOSFET... 100N03A , 30N03A , 35N06 , AO3402A , AO3403A , AO3409A , AO3413A , AO3414A , 7N65 , AO3422A , AO3423A , AO3442A , SI2301B , SI2302B , SI2304A , SI2305A , SI2306A .

History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.