AO3422A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO3422A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.6 nC
Время нарастания (tr): 2.4 ns
Выходная емкость (Cd): 31 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.105 Ohm
Тип корпуса: SOT23
AO3422A Datasheet (PDF)
ao3422a.pdf
RUMW AO3422AUMW UMW AO3422AN-Channel 60-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID105m@10V60 V 2.1A125m@4.5VFEATURE TrenchFET Power MOSFETSOT23 APPLICATION Load Switch for Portable Devicest DC/DC Conver erMARKING Equivalent Circuit1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value Unit Drain-Sou
ao3422.pdf
AO3422N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeaturesThe AO3422 uses advanced trench technology to VDS (V) = 55Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. It offers ID = 2.1A (VGS = 4.5V)operation over a wide gate drive range from 2.5V to RDS(ON)
ao3422.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd AO3422AO3422N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO3422 uses advanced trench technology to VDS (V) = 55Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. It ID = 2.1A (VGS = 4.5V)offers operation over a wide gate drive range from RDS(ON)
ao3422-3.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3422 (KO3422)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 VDS (V) = 55V ID = 2.1 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 160m (VGS = 4.5V) 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 200m (VGS = 2.5V)+0.11.9 -0.2D 1. Gate2. Source3. DrainG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symb
ao3422.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3422 (KO3422)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 VDS (V) = 55V ID = 2.1 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 160m (VGS = 4.5V) 1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 200m (VGS = 2.5V)1.9+0.1-0.1D 1. Gate2. Source3. DrainG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rat
ao3422.pdf
AO3422www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)G 1
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CTM2N7002
