ST2317S23RG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ST2317S23RG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для ST2317S23RG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ST2317S23RG даташит
st2317s23rg.pdf
ST2317S23RG P Channel Enhancement Mode MOSFET -5.0A DESCRIPTION ST2317S23RG is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and
st2310hi.pdf
ST2310HI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1500 V) HIGH SWITCHING SPEED TIGTHER hfe CONTROL IMPROVED RUGGEDNESS 3 APPLICATIONS 2 HORIZONTAL DEFLECTION FOR 1 MONITORS 15" AND HIGH END TVS ISOWATT218 DESCRIPTION The device is manu
st2310dhi.pdf
ST2310DHI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING INTEGRATED FREE WHEELING DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY (> 1500 V) HIGH SWITCHING SPEED TIGTHER hfe CONTROL IMPROVED RUGGEDNESS 3 2 APPLICATIONS 1 HORIZONTAL DEFLECTION HIGH END TVS ISOWATT218 DESCRIPTION The devi
st2310dhi.pdf
ST2310DHI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING INTEGRATED FREE WHEELING DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY (> 1500 V) HIGH SWITCHING SPEED TIGTHER hfe CONTROL IMPROVED RUGGEDNESS 3 2 APPLICATIONS 1 HORIZONTAL DEFLECTION HIGH END TVS ISOWATT218 DESCRIPTION The devi
Другие MOSFET... SI2307A , SI2308A , SI2309A , SI2312A , SI2318A , SI2328A , SVT078R0ND , ST18N10D , K4145 , ST2341SRG , ST3424 , ST3426 , STC4301D , STC6301D , STN2610D , STN4260 , STP4441 .
History: 2SK1213
History: 2SK1213
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220











