MCH3409-TL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MCH3409-TL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.8 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для MCH3409-TL
MCH3409-TL Datasheet (PDF)
mch3409-tl.pdf

MCH3409-TLwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET20 0.040 at VGS = 4.5 V 3.8 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM0.048 at VGS = 2.5 V 3.6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
mch3409.pdf

Ordering number : ENN6911MCH3409N-Channel Silicon MOSFETMCH3409Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsPreliminaryFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2167 2.5V drive.[MCH3409]0.3 0.1531 20.652.01 : Gate2 : Source3 : DrainSpecificationsSANYO : MCPH3Absolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symb
mch3406.pdf

Ordering number : ENN7010MCH3406N-Channel Silicon MOSFETMCH3406Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-state resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2167A 1.8V drive.[MCH3406]0.30.1532 10.652.031 : Gate2 : Source3 : DrainSANYO : MCPH3Specifications1 2Absolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter S
mch3405.pdf

Ordering number : ENN6940MCH3405N-Channel Silicon MOSFETMCH3405Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2167 1.8V drive.[MCH3405]0.3 0.1531 20.652.01 : Gate2 : Source3 : DrainSANYO : MCPH3SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SIHG47N65E | APQ05SN60AF
History: SIHG47N65E | APQ05SN60AF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73