IRLU110P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRLU110P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.110 typ Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IRLU110P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRLU110P даташит
irlu110p.pdf
IRLU110P www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.115 at VGS = 10 V 15 100 % Rg Tested 100 0.120 at VGS = 6 V 15 APPLICATIONS Primary Side Switch TO-251 D G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise
irlr110pbf irlu110pbf.pdf
PD - 95601A IRLR110PbF IRLU110PbF Lead-Free 1/10/05 Document Number 91323 www.vishay.com 1 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 2 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 3 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 4 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 5 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 6 IRLR/U11
irlr110 irlu110 irlr110pbf irlu110pbf sihlr110 sihlu110.pdf
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.54 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 6.1 Surface Mount (IRLR110, SiHLR110) Qgs (nC) 2.0 Straight Lead (IRLU110, SiHLU110) Qgd (nC) 3.3 Available i
irlr110a irlu110a.pdf
IRLR/U110A FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.44 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.336 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings
Другие MOSFET... K3150 , K4018 , MMBF170LT1G , MMDF3N04HD , MCH3409-TL , KD2306A , KD2310 , KD3400SRG , IRFB4115 , IRLU3103P , IRLU3410P , ISL9N306AD3S , ISL9N308AD3ST , ISL9N308AD3 , K1307 , K2543 , K2543-FP .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor





