MTP60N06HD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP60N06HD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для MTP60N06HD
MTP60N06HD Datasheet (PDF)
mtp60n06hd.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP60N06HD/DDesigner's Data SheetMTP60N06HDHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highcell density HDTMOS power FET is 60 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta- 60 VOLTS tio
mtp60n06hd.pdf
MTP60N06HDwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 60 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 50DTO-220ABGSDSGN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim
mtp60n05hdl.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP60N05HDL/DProduct PreviewMTP60N05HDLHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highcell density HDTMOS power FET is 60 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta- 50 VOLTStion modes.
mtp60n05hdlrev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP60N05HDL/DProduct PreviewMTP60N05HDLHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highcell density HDTMOS power FET is 60 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta- 50 VOLTStion modes.
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD