MTP60N06HD - аналоги и даташиты транзистора

 

MTP60N06HD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTP60N06HD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для MTP60N06HD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP60N06HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  motorola
 mtp60n06hd.pdf pdf_icon

MTP60N06HD

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP60N06HD/DDesigner's Data SheetMTP60N06HDHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highcell density HDTMOS power FET is 60 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta- 60 VOLTS tio

 ..2. Size:826K  cn vbsemi
 mtp60n06hd.pdf pdf_icon

MTP60N06HD

MTP60N06HDwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 60 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 50DTO-220ABGSDSGN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim

 7.1. Size:171K  motorola
 mtp60n05hdl.pdf pdf_icon

MTP60N06HD

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP60N05HDL/DProduct PreviewMTP60N05HDLHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highcell density HDTMOS power FET is 60 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta- 50 VOLTStion modes.

 7.2. Size:166K  motorola
 mtp60n05hdlrev0.pdf pdf_icon

MTP60N06HD

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP60N05HDL/DProduct PreviewMTP60N05HDLHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highcell density HDTMOS power FET is 60 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta- 50 VOLTStion modes.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MMDF3P03HDR , MT2300ACTR , MT4435ACTR , MT4606 , MT6680 , MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G , MTD3055EL , IRFZ24N , MTP8N06 , N3PF06 , NCE0117 , NCE3010S , NCE3035G , NCE3080KA , NCE30H10 , NCE30H12K .

History: IPB80N03S4L-03 | LSD50R160HT | STF15N95K5 | AP3P010AMT | CS7N65K | LSD55R066GT | OSG70R2K6FF

 

 
Back to Top

 


 
.