Справочник MOSFET. NIF5002NT3G

 

NIF5002NT3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NIF5002NT3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для NIF5002NT3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NIF5002NT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:847K  cn vbsemi
nif5002nt3g.pdfpdf_icon

NIF5002NT3G

NIF5002NT3Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unl

 5.1. Size:896K  cn vbsemi
nif5002nt1g.pdfpdf_icon

NIF5002NT3G

NIF5002NT1Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unl

 6.1. Size:74K  onsemi
nif5002n-d.pdfpdf_icon

NIF5002NT3G

NIF5002NPreferred DeviceSelf-Protected FETwith Temperature and Current Limit42 V, 2.0 A, Single N-Channel, SOT-223http://onsemi.comHDPlust devices are an advanced series of power MOSFETsV(BR)DSSwhich utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology processRDS(ON) TYPID MAX(Clamped)to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area while42 V165 mW @ 10

 8.1. Size:105K  onsemi
nif5003n.pdfpdf_icon

NIF5002NT3G

NIF5003NPreferred DeviceSelf-Protected FETwith Temperature and Current Limit42 V, 14 A, Single N-Channel, SOT-223http://onsemi.comhttp://onsemi.comHDPlus devices are an advanced series of power MOSFETs whichutilize ON Semiconductors latest MOSFET technology process toVDSS ID MAXachieve the lowest possible on-resistance per silicon area whileRDS(on) TYP(Clamped) (Lim

Другие MOSFET... NCE4953 , NCE55P04S , NCE55P05S , NCE60P25K , NDS331N-NL , NDS332P-NL , NDS9948-NL , NIF5002NT1G , K2611 , NT2955G , NTB25P06T4G , NTD12N10-1G , NTD20N06LT4G , NTD2955T4G , NTD2955VT4G , NTD4860NT4G , NTD5807NT .

History: 2SK988 | IRFH5006 | SSF7509J7 | KIA2803A-263 | RU30E7H | NCE2312A | IPI60R299CP

 

 
Back to Top

 


 
.