Справочник MOSFET. NIF5002NT3G

 

NIF5002NT3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NIF5002NT3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для NIF5002NT3G

 

 

NIF5002NT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:847K  cn vbsemi
 nif5002nt3g.pdf

NIF5002NT3G NIF5002NT3G

NIF5002NT3Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unl

 5.1. Size:896K  cn vbsemi
 nif5002nt1g.pdf

NIF5002NT3G NIF5002NT3G

NIF5002NT1Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unl

 6.1. Size:74K  onsemi
 nif5002n-d.pdf

NIF5002NT3G NIF5002NT3G

NIF5002NPreferred DeviceSelf-Protected FETwith Temperature and Current Limit42 V, 2.0 A, Single N-Channel, SOT-223http://onsemi.comHDPlust devices are an advanced series of power MOSFETsV(BR)DSSwhich utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology processRDS(ON) TYPID MAX(Clamped)to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area while42 V165 mW @ 10

 8.1. Size:105K  onsemi
 nif5003n.pdf

NIF5002NT3G NIF5002NT3G

NIF5003NPreferred DeviceSelf-Protected FETwith Temperature and Current Limit42 V, 14 A, Single N-Channel, SOT-223http://onsemi.comhttp://onsemi.comHDPlus devices are an advanced series of power MOSFETs whichutilize ON Semiconductors latest MOSFET technology process toVDSS ID MAXachieve the lowest possible on-resistance per silicon area whileRDS(on) TYP(Clamped) (Lim

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NDP6030

 

 
Back to Top