NTD6416ANT. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTD6416ANT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 typ Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для NTD6416ANT
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTD6416ANT даташит
ntd6416ant.pdf
NTD6416ANT www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100 % UIS tested 0.055 at VGS = 10 V 25 0.057 at VGS = 4.5 V 100 25 21nC 0.070 at VGS = 2.5 V 18 APPLICATIONS Primary side switch D TO-252 G G D S S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, un
ntd6416an nvd6416an.pdf
NTD6416AN, NVD6416AN MOSFET Power, N-Channel 100 V, 17 A, 81 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 V 81 mW @ 10 V 17 A Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These De
ntd6416an.pdf
NTD6416AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 mW Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS ID MAX Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 100 V 81 mW @ 10 V 17 A Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source
ntd6416an-1g.pdf
NTD6416AN, NVD6416AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 mW Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com 100% Avalanche Tested AEC Q101 Qualified - NVD616AN ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) 100 V 81 mW @ 10 V 17 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value
Другие MOSFET... NTD12N10-1G , NTD20N06LT4G , NTD2955T4G , NTD2955VT4G , NTD4860NT4G , NTD5807NT , NTD5865NL-1G , NTD5865NLT4G , IRLB3034 , NTE4153NT1G , NTF3055-100T , NTMD3P03R2G , NTR0202PLT1G , NTR4502PT1G , NTS2101PT1G , NTS4101PT1G , P0603BVG .
History: AGM405A | 2N6659X | RD3P200SNFRA
History: AGM405A | 2N6659X | RD3P200SNFRA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent






