RFD15P05SM - аналоги и даташиты транзистора

 

RFD15P05SM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RFD15P05SM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для RFD15P05SM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFD15P05SM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  cn vbsemi
 rfd15p05sm.pdf pdf_icon

RFD15P05SM

RFD15P05SMwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Sy

 6.1. Size:87K  intersil
 rfd15p05-sm rfp15p05.pdf pdf_icon

RFD15P05SM

RFD15P05, RFD15P05SM, RFP15P05Data Sheet July 1999 File Number 2387.515A, 50V, 0.150 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 15A, 50VThese are P-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.150the MegaFET process. This process which uses feature Temperature Compensating PSPICE Modelsizes approaching those of LSI integrated circuits, givesoptimum utilizatio

 6.2. Size:805K  cn vbsemi
 rfd15p05.pdf pdf_icon

RFD15P05SM

RFD15P05www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.066 at VGS = - 10 V - 20APPLICATIONS- 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 180.080 Load SwitchTO-251SGDP-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Par

 7.1. Size:87K  intersil
 rfd15p06-sm rfp15p06.pdf pdf_icon

RFD15P05SM

RFD15P06, RFD15P06SM, RFP15P06Data Sheet July 1999 File Number 3988.315A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 15A, 60VThese P-Channel power MOSFETs are manufactured using rDS(ON) = 0.150the MegaFET process. This process which uses feature Temperature Compensating PSPICE Modelsizes approaching those of LSI integrated circuits, givesoptimum utilizatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTS4101PT1G , P0603BVG , P120NF10 , P60NF06 , P80NF55-08 , PHB32N06 , PHD78NQ03L , PHK12NQ03L , IRF3205 , RFP6P08 , RJK0822SPN , RRS130N03 , RSS100N03T , SDM4953A , SI1539CDL-T1 , SI1553CDL-T1-GE3 , SI1555DL-T1 .

 

 
Back to Top

 


 
.