Справочник MOSFET. UT8205AG-AG6

 

UT8205AG-AG6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UT8205AG-AG6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 330 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для UT8205AG-AG6

 

 

UT8205AG-AG6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1472K  cn vbsemi
 ut8205ag-ag6.pdf

UT8205AG-AG6 UT8205AG-AG6

UT8205AG-AG6www.VBsemi.twDual N-Channel MOSFET FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.024 at VGS = 4.5 V Available6.0 100 % Rg Tested20RoHS*0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC5.0COMPLIANTTSOP6DDTop ViewS1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G2S2 G2

 ..2. Size:405K  cn tech public
 ut8205ag-ag6.pdf

UT8205AG-AG6 UT8205AG-AG6

www.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.tw

 0.1. Size:420K  utc
 ut8205al-al6-r ut8205ag-ag6-r ut8205al-s08-r ut8205ag-s08-r ut8205al-p08-r ut8205ag-p08-r.pdf

UT8205AG-AG6 UT8205AG-AG6

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT8205A Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT8205A uses advanced technology to provide fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. This device is suitable for all commercial-industrial surface mount applications. FEATURES * RDS(ON) 28m @ VGS=4.5V, ID=6.0A * Fast switching capability * Avalanch

 7.1. Size:217K  utc
 ut8205a.pdf

UT8205AG-AG6 UT8205AG-AG6

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT8205A Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT8205A uses advanced technology to provide fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. This device is suitable for all commercial-industrial surface mount applications. FEATURES * RDS(ON) 28m @VGS = 4.5 V * Ultra low gate charge ( typical 23 nC ) * Low re

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top