Справочник MOSFET. UT8205AG-AG6

 

UT8205AG-AG6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT8205AG-AG6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для UT8205AG-AG6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT8205AG-AG6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1472K  cn vbsemi
ut8205ag-ag6.pdfpdf_icon

UT8205AG-AG6

UT8205AG-AG6www.VBsemi.twDual N-Channel MOSFET FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.024 at VGS = 4.5 V Available6.0 100 % Rg Tested20RoHS*0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC5.0COMPLIANTTSOP6DDTop ViewS1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G2S2 G2

 ..2. Size:405K  cn tech public
ut8205ag-ag6.pdfpdf_icon

UT8205AG-AG6

www.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.tw

 0.1. Size:420K  utc
ut8205al-al6-r ut8205ag-ag6-r ut8205al-s08-r ut8205ag-s08-r ut8205al-p08-r ut8205ag-p08-r.pdfpdf_icon

UT8205AG-AG6

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT8205A Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT8205A uses advanced technology to provide fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. This device is suitable for all commercial-industrial surface mount applications. FEATURES * RDS(ON) 28m @ VGS=4.5V, ID=6.0A * Fast switching capability * Avalanch

 7.1. Size:217K  utc
ut8205a.pdfpdf_icon

UT8205AG-AG6

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT8205A Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT8205A uses advanced technology to provide fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. This device is suitable for all commercial-industrial surface mount applications. FEATURES * RDS(ON) 28m @VGS = 4.5 V * Ultra low gate charge ( typical 23 nC ) * Low re

Другие MOSFET... TP0101TS-T1 , TPCA8036 , UT100N03L , UT2301G-AE3-R , UT2302G-AE3 , UT2302L-AE3 , UT2955G , UT6898G-S08-R , IRFP460 , UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X .

History: HGW059N12S | RSM5853P | PMPB47XP | IXTM10N60 | VS3622AP | SM6A24NSU | STD100NH02LT4

 

 
Back to Top

 


 
.