Справочник MOSFET. VB1240X

 

VB1240X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB1240X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 316 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VB1240X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1430K  cn vbsemi
vb1240x.pdfpdf_icon

VB1240X

VB1240Xwww.VBsemi.comN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition= 4.5V 8 TrenchFET Gen III Power MOSFETat V0.014 GS 209nC 100 % Rg Tested0.018 7at V = 2.5V GS 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD(SOT-23)G 1G3 D

 8.1. Size:711K  cn vbsemi
vb1240b.pdfpdf_icon

VB1240X

VB1240Bwww.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) 20 TrenchFET power MOSFETRDS(on) max. () at VGS = 4.5V 0.020 Low on-resistanceRDS(on) max. () at VGS = 2.5V 0.025 100 % Rg testedQg typ. (nC 4.0 Material categorization:ID (A) a, e 7for definitions of compliance please seeConfiguration SingleDSOT-23(3)G 1G

 8.2. Size:600K  cn vbsemi
vb1240.pdfpdf_icon

VB1240X

VB1240www.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.0318 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.0356 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0414 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/D

 9.1. Size:165K  onsemi
nsvb124xpdxv6t1g.pdfpdf_icon

VB1240X

NSBC114EPDXV6T1G,NSVBC114EPDXV6T1G SeriesDual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Biashttp://onsemi.comResistor NetworkThe BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors areSOT-

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTH20N65X | SLP10N65S | STP19NB20 | TPP80R750C

 

 
Back to Top

 


 
.