Справочник MOSFET. VBA1203M

 

VBA1203M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBA1203M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.260(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для VBA1203M

 

 

VBA1203M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:708K  cn vbsemi
 vba1203m.pdf

VBA1203M VBA1203M

VBA1203Mwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.260 at VGS = 10 V 3 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSD Primary Side SwitchSO-8SD1 8SD2 7GSD3 6GD4 5STop ViewN-Chann

 8.1. Size:465K  fuji
 6mbp50vba120-50.pdf

VBA1203M VBA1203M

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/6MBP50VBA120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 50A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching Compatible with existing IPM-N series packages High performance and high reliability IGBT with overheating prote

 8.2. Size:452K  fuji
 6mbp25vba120-50.pdf

VBA1203M VBA1203M

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/6MBP25VBA120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 25A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching Compatible with existing IPM-N series packages High performance and high reliability IGBT with overheating prote

 8.3. Size:478K  fuji
 6mbp35vba120-50.pdf

VBA1203M VBA1203M

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/6MBP35VBA120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 35A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching Compatible with existing IPM-N series packages High performance and high reliability IGBT with overheating prote

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top