TSA20N60MR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSA20N60MR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 385 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 57 nC
Время нарастания (tr): 149 ns
Выходная емкость (Cd): 264 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для TSA20N60MR
TSA20N60MR Datasheet (PDF)
tsa20n60mr.pdf
TSA20N60MR600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 20A,600V,RDS(on)=0.4 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 57nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withs
tsa20n65mr.pdf
TSA20N65MR650V N-Channel MOSFETGeneral Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 20A,650V,RDS(on)=0.48 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 57nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and with
tsa20n50m.pdf
TSA20N50M 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 20A,500V,Max.RDS(on)=0.28 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
