TSF16N65MR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSF16N65MR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 121 ns
Выходная емкость (Cd): 225 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для TSF16N65MR
TSF16N65MR Datasheet (PDF)
tsf16n65mr.pdf
TSF16N65MR 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 16A,650V,Max.RDS(on)=0.52 @ =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to VGS minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge(typical 50nC)performance, and withstand high e
tsf16n60mr.pdf
TSF16N60MR 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 16A,600V,Max.RDS(on)=0.47 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 50nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, a
tsf16n50mr.pdf
TSF16N50MR500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 16.0A,500V,Max.RDS(on)=0.4 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 32nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withs
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
