TPS1100Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPS1100Y

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.791 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: CHIP

Аналог (замена) для TPS1100Y

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPS1100Y даташит

 ..1. Size:710K  texas
 tps1100 tps1100y.pdf pdf_icon

TPS1100Y

TPS1100, TPS1100Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D OR PW PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin

 7.1. Size:485K  texas
 tps1100d tps1100pw.pdf pdf_icon

TPS1100Y

TPS1100, TPS1100Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D OR PW PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin

 8.1. Size:493K  texas
 tps1101 tps1101y.pdf pdf_icon

TPS1100Y

TPS1101, TPS1101Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin TSSOP

 8.2. Size:490K  texas
 tps1101d tps1101pwr.pdf pdf_icon

TPS1100Y

TPS1101, TPS1101Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin TSSOP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CSD86360Q5D, CSD87333Q3D, CSD87335Q3D, CSD87355Q5D, CSD87384M, CSD87588N, CSD88537ND, TPS1100, IRFB4115, TPS1101, TPS1101Y, TPS1120, TPS1120Y, TMA10N60H, TMA10N65H, TMP10N65H, TMA10N80H