Справочник MOSFET. TPS1100Y

 

TPS1100Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPS1100Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.791 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: CHIP
 

 Аналог (замена) для TPS1100Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPS1100Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  texas
 tps1100 tps1100y.pdf pdf_icon

TPS1100Y

TPS1100, TPS1100YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D OR PW PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin

 7.1. Size:485K  texas
 tps1100d tps1100pw.pdf pdf_icon

TPS1100Y

TPS1100, TPS1100YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D OR PW PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin

 8.1. Size:493K  texas
 tps1101 tps1101y.pdf pdf_icon

TPS1100Y

TPS1101, TPS1101YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin TSSOP

 8.2. Size:490K  texas
 tps1101d tps1101pwr.pdf pdf_icon

TPS1100Y

TPS1101, TPS1101YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin TSSOP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CSD86360Q5D , CSD87333Q3D , CSD87335Q3D , CSD87355Q5D , CSD87384M , CSD87588N , CSD88537ND , TPS1100 , IRFP250N , TPS1101 , TPS1101Y , TPS1120 , TPS1120Y , TMA10N60H , TMA10N65H , TMP10N65H , TMA10N80H .

History: SSB60R105SFD2 | IRF3707ZL

 

 
Back to Top

 


 
.