Справочник MOSFET. TPC65R260M

 

TPC65R260M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPC65R260M
   Маркировка: 65R260M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPC65R260M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1069K  cn wuxi unigroup
 tpa65r260m tpb65r260m tpc65r260m tpp65r260m tpv65r260m tpw65r260m.pdf pdf_icon

TPC65R260M

TPA65R260M, TPB65R260M, TPC65R260M, TPP65R260M, TPV65R260M, TPW65R260MWuxiUnigroupMicroelectronicsCompany650V Super-Junction Power MOSFETFEATURESlVerylowFOMRDS(on)Qgl100%avalanchetestedlRoHScompliantAPPLICATIONSlSwitchModePowerSupply(SMPS)lUninterruptiblePowerSupply(UPS)lPowerFactorCorrection(PFC)Device Marking and Pac

 7.1. Size:755K  cn wuxi unigroup
 tpa65r280d tpb65r280d tpc65r280d tpd65r280d tpp65r280d tpu65r280d.pdf pdf_icon

TPC65R260M

TPA65R280D, TPB65R280D, TPC65R280D, TPD65R280D, TPP65R280D, TPU65R280D Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 8.1. Size:1239K  cn wuxi unigroup
 tpa65r360m tpb65r360m tpc65r360m tpd65r360m tpp65r360m tpr65r360m tpu65r360m.pdf pdf_icon

TPC65R260M

TPA65R360M,TPB65R360M,TPC65R360M,TPD65R360M,TPP65R360M,TPR65R360M,TPU65R360MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd650V Super-junction Power MOSFETDescription650V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, com

 8.2. Size:947K  cn wuxi unigroup
 tpa65r170m tpb65r170m tpc65r170m tpp65r170m tpv65r170m tpw65r170m.pdf pdf_icon

TPC65R260M

TPA65R170M,TPB65R170M,TPC65R170M,TPP65R170M,TPV65R170M,TPW65R170MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd650V Super-junction Power MOSFETDESCRIPTION650V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SJ615 | BRCS100N06BD | 2SK417 | IMW120R220M1H

 

 
Back to Top

 


 
.