Справочник MOSFET. FDB52N20

 

FDB52N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDB52N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK

 Аналог (замена) для FDB52N20

 

 

FDB52N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:937K  fairchild semi
 fdb52n20 fdb52n20tm.pdf

FDB52N20 FDB52N20

July 2008UniFETTMFDB52N20200V N-Channel MOSFETFeatures Description 52A, 200V, RDS(on) = 0.049 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 49 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 66 pF)This advanced technology has been especially tailored to m

 ..2. Size:525K  onsemi
 fdb52n20.pdf

FDB52N20 FDB52N20

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top