Справочник MOSFET. TPW80R200MFD

 

TPW80R200MFD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TPW80R200MFD
   Маркировка: 80R200MFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 46.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59.94 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для TPW80R200MFD

 

 

TPW80R200MFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  cn wuxi unigroup
 tpw80r200mfd.pdf

TPW80R200MFD TPW80R200MFD

TPW80R200MFDWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle and pioneered. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely fast and robust body diode. Also provide an extremely low switching,

 7.1. Size:567K  cn wuxi unigroup
 tpa80r250a tpp80r250a tpw80r250a.pdf

TPW80R200MFD TPW80R200MFD

TPA80R250A, TPP80R250A, TPW80R250A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) D Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) G Device Marking and Package Information Device Packa

 8.1. Size:686K  cn wuxi unigroup
 tpw80r300mfd.pdf

TPW80R200MFD TPW80R200MFD

TPW80R300MFDWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle and pioneered. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely fast and robust body diode. Also provide an extremely low switching,

 8.2. Size:1210K  cn wuxi unigroup
 tpa80r300c tpb80r300c tpp80r300c tpw80r300c.pdf

TPW80R200MFD TPW80R200MFD

TPA80R300C,TPB80R300C,TPP80R300C,TPW80R300CWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losse

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SQM120N04-2M1

 

 
Back to Top